Большая биографическая энциклопедия - лашкарев вадим евгеньевич

[р. 24 сент. (7 окт.) 1903] — сов. физик, акад. АН УССР (с 1945). В 1924 окончил Киев. ин-т народного образования (ныне Киев. ун-т). В 1930—35 работал в Физико-технич. ин-те АН СССР, с 1939 — в Ин-те физики АН УССР. С 1939 — проф. Киев. ун-та. Осн. работы Л. посвящены экспериментальному и теоретич. изучению дифракции электронов и физике полупроводников. Исследовал механизм возникновения фотоэлектродвижущих сил в полупроводниках, линейную и нелинейную фотопроводимость полупроводников и др.

Соч.: Дифракция электронов, Л.—М., 1933; Фотоэлектродвижущие силы в полупроводниках, "Известия АН СССР. Серия физическая", 1952, т. 16, № 1; Диффузия носителей тока в полупроводниках со смешанной проводимостью, там же, 1952, т. 16, № 2; О природе люминесценции закиси меди, "Доклады АН СССР", 1954, т. 97, № 6 (совм. с Ю. И. Карханяном); Длина диффузионного смещения экситонов в закиси меди, там же, 1955, т. 101, № 5 (совм. с Ю. И. Караханяном).

Лашкарев, Вадим Евгеньевич

(7.Х.1903—1.XII.1974) — советский физик, академик АН УССР (1945). Р. в Киеве. Окончил Киевский ун-т (1924). В 1924—30 был аспирантом и работал на Киевской научно-исследовательской кафедре физики, в 1930—35 — зав. лабораторией Ленинградского физико-технического ин-та, в 1935—39 — зав. кафедрой Архангельского медицинского ин-та. В 1939—60 — зав. отделом Ин-та физики АН УССР и одновременно (1944—57) зав. кафедрой Киевского ун-та. С 1960 — зав. отделом Ин-та полупроводников АН УССР (в 1960—70 — директор).

Работы посвящены физике и технике полупроводников, оптике рентгеновских лучей, дифракции электронов, биофизике. В 1926 совместно с В. П. Линником разработал метод определения показателя преломления рентгеновских лучей. В 1941 предложил метод термозонда для изучения распределения удельного сопротивления в глубь запирающего слоя и впервые обнаружил p-n-переход в закиси меди. Создал фотоэлементы с антизапорным слоем. Открыл (1946) биполярную диффузию неравновесных носителей тока, построил (1948) общую теорию фото-э. д. с. в полупроводниках. Выполнил (1948—70) фундаментальные исследования фотоэлектрических явлений в полупроводниках, в частности механизма возникновения и закономерностей фото-э.д.с, линейной и нелинейной проводимости, поверхностных, электрофизических и других свойств полупроводников, электронных процессов в соединениях AIIBVI, механизма действия полупроводниковых приборов.

Создал школу физиков (В. И. Ляшенко, Е. Г. Миселюк, О. В. Снитко, П. И. Баранский, В. Г. Литовченко, В. А. Романов, В. И. Стриха, Г. А. Федорус, М. К. Шейнкман и др.). В 1956—70 — главный редактор "Украинского физического журнала". Государственная премия УССР (1981, посмертно).

Лит.: УФН, 1975, т. 117, вып. 2; История Академии наук Украинской ССР. — Киев, Наук. думка., 1979; Развитие физики в СССР. — М., Наука, 1967, 2 кн.

Большая биографическая энциклопедия

2009