Химическая энциклопедия - химическое осаждение из газовой фазы

Процессы X. о. проводят при обычном или пониженном давлении. Для активирования используют один из трех осн. методов: термический, фотохим. (включая лазерный) и плазменный.

Как правило, X. о. проводят на неподвижной подложке. Однако известны конструкции аппаратов для X. о., в к-рых подложки перемещаются вдоль реакционной зоны, качаются или вращаются в ней, а также находятся во взвешенном состоянии, Это позволяет получать плоские, цилиндрич. и сферич. покрытия, ленты, конусы, нити, стержни и тела произвольной формы, а в сочетании с фотолитографией сложные микроструктуры (см. Планарная технология).X. о. может протекать в объеме и использоваться для получения порошков (подложками служат зародыши твердых продуктов).

С помощью X. о. получают ок. 200 в-в, среди к-рых простые в-ва и неорг. соед., а также неск. орг. соединений (напр., разновидности полиэтилена), сплавы металлов, аморфные "сплавы" Si с Н, F, C1 и др.

Осн. области применения X. о.: нанесение функцией, слоев проводников, полупроводников и диэлектриков (W, Si, SiO2, Si3N4 и др.) при произ-ве электронных приборов и схем; нанесение разнообразных защитных и декоративных покрытий на детали машин и аппаратов, на инструменты, нанесение защитных и отражающих оптич. покрытий; изготовление деталей и изделий из тугоплавких в-в, напр. сопел из графита или W для ракетных двигателей; выращивание заготовок для кварцевых оптич. волокон, в т. ч. с переменным по диаметру показателем преломления; произ-во ядерного топлива (микротвэлов); произ-во объемных монокристаллов и "усов" для композиционных материалов; произ-во высокопористых ультрадисперсных порошков (напр., компонентов керамики, наполнителей, адсорбентов). X. о. может быть одной из стадий химических транспортных реакций.

Лит.: Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений, М., 1981; Королев Ю. М., Столяров В. И., Восстановление фторидов тугоплавких металлов водородом, М., 1981; Сыркин В. Г., Газофазная металлизация через карбонилы, М., 1984; Емяшев А. В., Газофазная металлургия тугоплавких соединений, М., 1987; Раков Э. Г., Тесленко В. В., Химия в микроэлектронике. (Химическое осаждение из газовой фазы), М., 1988; Тесл енко В. В., "Успехи химии", 1990, т. 59, в. 2, с. 177-96.

Э. Г. Раков, В. В. Тесленко.

Химическая энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия

Под ред. И. Л. Кнунянца

1988