Химическая энциклопедия - индия антимонид
Индия антимонид
индия антимонид InSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,647877 нм, z= 4, пространств. группа F43m): т. пл. 525,2 °С; плотн. 5,775 г/см 3, жидкого 6,430 г/см 3 (550 °С); С 0p49,56 Дж/(моль. К); DH0 пл 65,35 кДж/моль, DH0 обр 30,66 кДж/моль; S0298 87,44 Дж/(моль. К); температурный коэф. линейного расширения 4,7.10-6 К -1; теплопроводность 30-40 Вт/(м. К) при 200 К. Полупроводник: e 17,7 (196°C); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости т е =>0,013m0, дырок т р =>0,42m0 (m0 масса своб. электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1.106 см 2/(В. с), дырок 9,1.103 см 2/(В. с). И. а. устойчив на воздухе и в парах воды при т-рах до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. HNO3 и смесями HNO3 и фтористоводородной к-ты, HNO3 и соляной к-ты, HNO3, винной и молочной к-т, Н 2 О 2 и винной к-ты, Н 2 О 2 и фтористоводородной к-ты. Для травления пов-сти кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиб. часто используют смесь состава 5HNO3 : 3СН 3 СООН : 3HF. Получают И. а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н 2. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) или Н 2 либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InSb в расплаве In при 350-450 °С; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и Sb в вакууме 10-9 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500°С подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10-4 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). И. а. полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности. Лит.: Полупроводниковые соединения AIIIBV, под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга, пер. с англ., М., 1967, с. 327-42, 476-83; Горелик С. С., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973; Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987 М. Г. Мильвидский.
Химическая энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия
Под ред. И. Л. Кнунянца
1988
Рейтинг статьи:
Вопрос-ответ:
Похожие слова
Ссылка для сайта или блога:
Ссылка для форума (bb-код):
Самые популярные термины
1 | 665 | |
2 | 659 | |
3 | 540 | |
4 | 530 | |
5 | 520 | |
6 | 487 | |
7 | 461 | |
8 | 429 | |
9 | 427 | |
10 | 426 | |
11 | 425 | |
12 | 420 | |
13 | 418 | |
14 | 418 | |
15 | 408 | |
16 | 401 | |
17 | 393 | |
18 | 390 | |
19 | 383 | |
20 | 361 |