Физическая энциклопедия - основные и неосновные носители

заряда в полупроводниках, электроны проводимости в полупроводниках n-типа и дырки в полупроводниках р-типа. В невырожденном собственном ПП равновесные концентрации эл-нов n и дырок р равны: n=р=ni??(NcNv)exp(-?g/2kT), где Nc и Nv эфф. плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, ?g ширина запрещённой зоны. Величина ni зависит только от темп-ры Т и давления.