Физическая энциклопедия - поверхностные свойства полупроводников
Поверхностные свойства полупроводников
поверхностные свойства полупроводников свойства, обусловленные поведением носителей заряда (электронов и дырок) вблизи границы раздела полупроводника с др. средой. На поверхности существуют поверхностные состояния носителей, плотность к-рых (число состояний, приходящихся на единичный интервал энергии и на единицу площади поверхности) для разл. полупроводников порядка 1010-1014 эВ-1•см-1. Заполнение этих состояний носителями (они «прилипают» к поверхности) создаёт поверхностный заряд, а в области около поверхности возникает объёмный заряд противоположного знака. Т. о. образуются приповерхностные слои, обогащённые или обеднённые носителями, и между «поверхностью» и «объёмом» возникает разность потенциалов поверхностный потенциал js (поверхностный изгиб энергетич. зон). Величина js определяет изменение равновесных концентраций носителей на поверхности по сравнению с объёмом. Типичные значения js=0,1 В. Вблизи поверхности носители испытывают дополнительное по сравнению с объёмом рассеяние (поверхностные дефекты, фононы, поля дефектов от пограничной среды и т.
п.), характеризуемое поверхностной подвижностью носителей тока. Участие поверхностных состояний в неравновесных процессах генерации и рекомбинации носителей описывается поверхностными сечениями их захвата и выброса. Это св-во можно характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации неравновесных носителей. Термоэлектронная эмиссия полупроводника и электрич.
св-ва контакта полупроводника с др. средой зависят от их работы выхода и энергии сродства к электрону. .
Рейтинг статьи:
Вопрос-ответ:
Похожие слова
Ссылка для сайта или блога:
Ссылка для форума (bb-код):
Самые популярные термины
1 | 526 | |
2 | 447 | |
3 | 441 | |
4 | 431 | |
5 | 430 | |
6 | 420 | |
7 | 417 | |
8 | 414 | |
9 | 411 | |
10 | 407 | |
11 | 405 | |
12 | 399 | |
13 | 388 | |
14 | 388 | |
15 | 387 | |
16 | 386 | |
17 | 385 | |
18 | 383 | |
19 | 382 | |
20 | 378 |