Большая биографическая энциклопедия - иоффе абрам федорович

[р. 17 (29) окт. 1880] — сов. физик, акад. (с 1920, чл.-корр. с 1918). Герой Социалистич. Труда (1955). Чл. КПСС с 1942. В 1902 окончил Петербург. технологич. ин-т и в 1905 Мюнхен. ун-т, где он работал у В. К. Рентгена. По возвращении в 1906 на родину работал в Петербург. политехнич. ин-те. В 1913 получил звание магистра физики, а в 1915 за исследование упругих и электрич. свойств кварца — степень доктора физики. В 1913 был избран проф. С 1918 — руководитель организованного по его предложению физико-технич. отдела Гос. рентгенологич. и радиологич. ин-та в Петрограде, а затем до 1951 — дир. Физико-технич. ин-та АН СССР, созданного на основе этого отдела. С 1932 — дир. Физико-агрономич. мн-та, также организованного по его инициативе. С 1951 возглавил Лабораторию полупроводников АН СССР, а с 1954 — организованный на ее базе Ин-т полупроводников АН СССР. Работы И. 1909—13 посвящены обоснованию квантовой теории света и механизма фотоэффекта. В 1910 он экспериментально показал наличие магнитного ноля у катодных лучей, что отрицалось нек-рыми зарубежными физиками. Осн. работы И. посвящены изучению механич. свойств кристаллов, электрич. свойств диэлектриков и свойств полупроводников. Им была создана методика определения основных свойств полупроводников, на основании чего выявилась необходимость разделения полупроводников на электронные и "дырочные". В 1937 выдвинул новое объяснение выпрямления на границе дырочного и электронного полупроводников. Исследовал влияние сильного электрич. поля и света на полупроводники и их теплопроводность. Разработал ряд применений полупроводниковых термоэлементов. В Физико-технич. ин-те под руководством И. начинали свою научную деятельность многие крупные сов. физики. Уделяет много внимания педагогич. вопросам. Избран почетным чл. Амер. академии наук и искусств в Бостоне (1926), чл.-корр. Геттинген. (1924) и Берлин. (1928) АН, почетным доктором Калифорн. (1928), Париж. (1944), Бухарест. (1945) ун-тов и др. Лауреат Сталинской премии (1942).

Соч.: Элементарный фотоэлектрический эффект. Магнитное поле катодных лучей (опытное исследование), СПб, 1913; Лекции по молекулярной физике, 2 изд., П., 1923; Физика кристаллов, M.—Л., 1929; Полупроводники в физике и технике, "Вестник АН СССР", 1940, № 10; Моя жизнь и работа. Автобиографический очерк, М.—Л., 1933; Основные представления современной физики, Л.—М., 1949; Полупроводники, М.—Л., 1955; Полупроводники в современной физике, М.—Л., 1954; Полупроводники и их применение, М.—Л., 1956; Полупроводниковые термоэлементы, М.—Л., 1956.

Лит.: Френкель Я. И., Академик Абрам Федорович Иоффе (К 60-летию со дня рождения), "Вестник АН СССР", 1940, № 10; Сборник, посвященный семидесятилетию академика А. Ф. Иоффе, М., 1950 (Акад. наук СССР); Абрам Федорович Иоффе (К 75-летию со дня рождения), "Журнал экспериментальной и теоретич. физики", 1956, т. 30, вып. 1.

Иоффе, Абрам Федорович

(29.Х.1880—14.Х.1960) — советский физик, академик (1920, чл.-кор. 1918), вице-президент (1926—29, 1942—45). Р. в г. Ромны. Окончил Петербургский технологический ин-т (1902). В 1903—06 — практикант, ассистент в лаборатории В. Рентгена в Мюнхенском ун-те. В 1906 начал работать в Петербургском политехническом ин-те. В .I913—48 — профессор и в 1919—48 декан (с перерывами) физико-механического факультета ин-та. В 1918 по инициативе Иоффе создается физико-технический отдел в Рентгенологическом и радиологическом ин-те (реорганизованный в 1923 в Ленинградский физико-технический ин-т), а в 1919 — физико-механический факультет в Политехническом ин-те. На базе этих центров физической науки в СССР в последующие годы была создана разветвленная сеть научно-исследовательских институтов физического профиля (физико-технические ин-ты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске, Ин-т химической физики, Электрофизический ин-т и др.). До 1951 был директором Ленинградского физико-технического ин-та АН СССР, в 1952—55 — Лаборатории полупроводников АН СССР, с 1955 — Ин-та полупроводников АН СССР (в 1932—60 — также директор Агрофизического ин-та).

Научные работы посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. Особенно значительный вклад им был сделан в физику и технику полупроводников. Уже в докторской диссертации (1905) проявил мастерство экспериментатора и решил важный в то время вопрос упругого последействия в кристаллах. В 1913 выполнил цикл работ по измерению заряда электрона при внешнем фотоэффекте и доказал статистический характер элементарного фотоэффекта. Экспериментально доказал (1916) существование ионной проводимости в кристаллах — прохождение ионов сквозь решетку ионного кристалла под действием поля. Классическими стали исследования Иоффе пластической деформации рентгенографическим методом. Изучая механические свойства кристаллов, обнаружил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности. Это открытие имело важное значение для техники. Объяснил реальную прочность кристаллов (1922). Первым выяснил вопрос о так называемых электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кристалла. Определил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, и разработал методы очистки кристаллов. Работы Иоффе с сотрудниками по изучению электрической прочности тонких слоев диэлектриков завершились созданием новых электротехнических материалов и разработкой методов устранения перенапряжения.