Физическая энциклопедия - бесщелевые полупроводники

полупроводники с шириной запрещённой зоны ?g=0. Встречаются Б. п. двух типов: Г) отсутствие запрещённой зоны обусловлено симметрией кристаллов и вырождением электронных состояний (см. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ); примеры подобных Б. п.a-Sn, HgTe и HgSe (рис.); 2) ?g=0 лишь при определ. условиях (давлении, температуре, концентрации компонентов в случае тв. р-ра и т. п.). Зависимость энергии ? от квазиимпульса р бесщелевых ПП 1-го типа: a зона проводимости; б валентная зона. Наиболее типичные представители сплавы Bi-Sb, системы CdxHg1-xТе, Pb1-x SnxTe и др. Б. п. 1-го типа образуют своеобразную границу между полуметаллами и ПП. Так как у Б. п. для перехода эл-нов из валентной зоны в зону проводимости не нужна энергия активации, то они имеют высокую диэлектрич. проницаемость. Сравнительно слабое электрич. поле увеличивает концентрацию подвижных носителей заряда, приводя к существенному отклонению от закона Ома. В Б. п. большую роль чем в обычных ПП, играет кулоновское вз-ствие эл-нов между собой и с примесными ионами.

Практич. применения такие Б. п. пока не нашли. В Б. п. 2-го типа подвижность носителей достигает рекордных значений, что облегчает наблюдение ряда кинетич. эффектов в электрич. и магн. полях. С этими Б. п. связан вопрос о фазовом переходе диэлектрик металл; они используются в ПП приборостроении (приёмники ИК излучения, охлаждающие устройства и др.

). .