Физическая энциклопедия - вторичная электронная эмиссия

испускание эл-нов (вторичных) тв. и жидкими телами (эмиттерами) при их бомбардировке эл-нами (первичными). При толщине эмиттера, меньшей пробега первичных эл-нов, вторичные эл-ны эмиттнруются как со стороны бомбардируемой поверхности (В. э. э. «на отражение»), так ц с её обратной стороны (В. э. э. «на прострел»). Вторичные эл-ны имеют непрерывный энергетич.

спектр от 0 до энергии ?п первичных эл-нов (рис. 1). Они состоят из упруго (?=?п) и неупруго (условно ??50 эВ) отражённых первичных и истинно вторичных эл-нов (??50 эВ) эл-нов в-ва, получивших от первичных эл-нов энергию, достаточную для выхода в вакуум. Их наиболее вероятная энергия 2-4 эВ для металлов и порядка 1 эВ для диэлектриков. Тонкая структура энергетич. спектра эл-нов обусловлена характеристич. потерями эл-нов на возбуждение атомов в-ва (см. ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ) и Оже эффектом и позволяет судить о хим. составе и электронном состоянии атомов поверхностного слоя тв. тела. Количественно В. э. э. характеризуется коэффициентом В. э. э. о, равным: где i1 ток, создаваемый первичными эл-нами, i2 всеми вторичными, d ноэфф. истинной В. э. э., h и r коэфф. неупругого и упругого отражения эл-нов. Если ?п100-200 эВ s=d+h). Коэфф. s, d, h, r зависят не только от энергии, но и от угла падения первичных эл-нов, природы и структуры в-ва, состояния поверхности, темп-ры.

Для монокристаллов эти зависимости обладают тонкой структурой, обусловленной дифракцией электронов (см. ДИФРАКЦИЯ МИКРОЧАСТИЦ), когерентно рассеянных разл. плоскостями кристалла. Истинно вторичные эл-ны эмиттируются из приповерхностного слоя толщиной Я. В металлах, где в результате вз-ствия с эл-нами проводимости Рис. 2. Зависимость коэфф.

s и h от энергии первичных эл-нов: вверху для металлов; внизу для диэлектриков и ПП. первичные эл-ны быстро теряют энергию, l и s малы (l=30 ?, s=0,4-1,8, рис. 2). В диэлектриках с широкой запрещённой зоной и малым сродством к электрону c эл-ны, возбуждённые в зону проводимости, могут терять энергию в осн. лишь на возбуждение колебаний кристаллической решётки.

Эти потери невелики, поэтому диэлектрики обладают большими значениями l(300-1200 ?) и s(20-40) при ?п порядка неск. сотен В. Из диэлектрич. слоев изготавливают эфф. эмиттеры вторичных эл-нов. В ПП эмиттерах вторичных эл-нов с отрицат. электронным сродством (c .