Физическая энциклопедия - запирающий слой

область в полупроводнике вблизи контакта с металлом или с ПП другого типа проводимости (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД), обеднённая осн. носителями. Толщина З. с. d в случае р n-перехода равна: где е заряд эл-на, e диэлектрич. проницаемость, U/к контактная разность потенциалов, U внеш. напряжение, n0 концентрация эл-нов проводимости в n-области, р0 концентрация дырок в р-области. Напр., для р n-перехода в Si, где Uк=1В при n0=p0»1015, d=2 мкм. Для контакта металл электронный ПП или металл дырочный ПП d определяется по ф-ле (*), в к-рой положено p0N0. .