Энциклопедический словарь нанотехнологий - дифракция быстрых электронов

Термин на английском

reflection high-energy electron diffractionСинонимы

Аббревиатуры

ДБЭ, RHEEDСвязанные термины

дифракция медленных электроновОпределение

метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции электронов с энергией 5 100 кэВ, упруго рассеянных от исследуемой поверхности под скользящими угламиОписание

Чувствительность к структуре поверхности в ДБЭ достигается тем, что первичный пучок падает на исследуемую поверхность под малым скользящим углом порядка 1 – 5^о, а также тем, что детектируются только дифракционные пучки, выходящие под малыми углами к поверхности. В результате на всем своем пути свободного пробега электроны остаются в тонкой приповерхностной области. Например, электроны с энергией 50 – 100 кэВ, имея длину свободного пробега порядка 100 нм, при угле падения порядка 1^о проникают на глубину не более 1 нм.

На рис. 1 приведена схема экспериментальной аппаратуры для изучения поверхности методом ДБЭ, в которой пучок высокоэнергетических электронов из электронной пушки попадает на поверхность образца под скользящим углом, а продифрагировавшие пучки электронов формируют картину ДБЭ на флюоресцентном экране. В качестве примера на рисунке показана картина ДБЭ от атомарно-чистой поверхности Si(111)7x7. Держатель образца помещается на платформу, которая позволяет вращать образец для получения картин ДБЭ по разным азимутальным направлениям.

Метод ДБЭ позволяет:

• Зотов Андрей Вадимович, д.ф.-м.н.
• Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.

Разделы

Дифракционные методы (рентгеновские, электронные, нейтронные)