Большой энциклопедический политехнический словарь - биполярный транзистор

транзистор с тремя чередующимися ПП областями электронного (м) или дырочного (р) типа проводимости, в к-ром протекание рабочего тока обусловлено носителями заряда обоих знаков (электронами и дырками). Различают Б. т.п р п- и р п - р-типа (см. рис.). Средняя область Б. т. (её обычно делают очень тонкой неск. мкм и менее) наз. базой, две другие эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора р п-переходами, соответственно эмиттерными коллекторным. Принцип действия Б. т. осн. на управлении потоком неосн. носителей заряда, протекающим через базу. Эмиттерный переход смещён в прямом направлении и обеспечивает инжекцию неосн. носителей заряда, коллекторный смещён в обратном направлении и обеспечивает собирание неосн. носителей, инжектированных эмиттером. Б. т. изготовляют гл. обр. на основе кремния и германия по планарно-эпитаксиальной технологии (см. Пла-нарная технология). Предназначен для усиления, преобразования и генерирования электрич. колебаний в широком диапазоне частот (до десятков ГГц). Выходная мощность Б. т. обычно до 100 Вт, миним. уровень шумов до неск. дБ.

Схема включения биполярного транзистора: р область с дырочной проводимостью; п область с электронной проводимостью; i сила тока; RH нагрузочный резистор

Большой энциклопедический политехнический словарь

2004