Большой энциклопедический политехнический словарь - параметрический свч диод

полупроводниковый диод, предназнач. для работы в параметрич, усилителях СВЧ диапазона в качестве элемента с электрически управляемой ёмкостью. Действие прибора осн. на зависимости ёмкости перехода в ПП от приложенного внеш. напряжения, П, СВЧ д. работают в области обратных (до неск. В) и малых прямых (до 0,5 В) напряжений. Осн. параметр постоянная времени t = Сп*rs (где Сп ёмкость перехода, а rs - суммарное активное сопротивление базы диода и контактов) достигает 0,1 0,5 пс (при этом Сп = 0,01 1 пФ). Наиболее распространены П. СВЧ д. на основе контакта металл полупроводник (преим. диоды с барьером металл GaAs), изготовленные методами диффузии и вплавления примесей, эпитаксиального наращивания и др. П. СВЧ д. применяются во входных каскадах приёмных систем спутниковой связи, радиолокац. линий связи, в радиометрах для космич. исследовании и т. д.

Параметры с нелинейными индуктивностями: 1 4 тороидальные ферри-товые сердечники; L1 и L2 нелинейные индуктивности;С конденсатор; R резистор

Большой энциклопедический политехнический словарь

2004