Большая Советская энциклопедия - подвижность носителей тока

в твёрдом теле, отношение скорости направленного движения электронов проводимости и дырок (дрейфовой скорости υдр), вызванного электрическим полем, к напряжённости Е этого поля:

μ = υдр/Е.

У разных типов носителей в одном и том же веществе μ различны, а в анизотропных кристаллах различны μ каждого типа носителей для разных направлений поля Е. Величина μ определяется процессами рассеяния электронов в кристалле. Рассеяние происходит на заряженных и нейтральных примесных частицах и дефектах кристаллической решётки, а также на тепловых колебаниях кристаллической решётки (См. Колебания кристаллической решётки) (фононах). Испуская или поглощая фонон, носитель изменяет свой Квазиимпульс и, следовательно, скорость. Поэтому μ сильно изменяется при изменении температуры. При T ≥ 300 К преобладает рассеяние на фононах, с понижением температуры вероятность этого процесса падает и доминирующим становится рассеяние на заряженных примесях или дефектах, вероятность которого растет с уменьшением энергии носителей.

Средняя дрейфовая скорость v̅∂p набирается за интервал времени τ между двумя последовательными актами рассеяния (время свободного пробега) и равна: .