Физическая энциклопедия - алмаз

(тюрк. алмас, от греч. adamas несокрушимый), природный и синтетич. кристалл углерода. В природе встречается в виде отд. монокристаллов или скоплений крист. зёрен и агрегатов. Различают наиб. чистые и совершенные ювелирные А. и техн. А. Точечная группа симметрии m3m, плотн. 3,07-3,56 г/см3. При T>1000В°С происходит превращение А. в графит. Атомы С в структуре А. связаны прочной ковалентной связью с четырьмя соседними атомами, расположенными в вершинах тетраэдра (рис.). Этим, а также малыми межат. расстояниями (0,154 нм) объясняются св-ва А., в частности его уникальная твёрдость (10 по шкале Мооса) и хим. стойкость (А. растворяется в расплавах калиевой и натриевой селитры и Na2CO3 при T==500В°С, на воздухе сгорает при Т =850-1000В°С, в кислороде при T=720-800В°С). А. имеет большую теплопроводность (в 5 раз большую, чем у Си); при комнатной темп-ре диамагнитен, магнитная восприимчивость m=0,49•10-6 ед. СГС при 18В°С. Цвет и прозрачность А. различны. Большинство кристаллов избирательно поглощают эл.-магн. излучение в ИК области (l=8-10 мкм) и УФ области (l=0,3 мкм). Они наз. А. 1-го типа. А. 2-го типа прозрачны при l=0,22-1000 мкм. Различие спектроскопич. св-в обусловлено, по-видимому, содержанием примесей (гл. обр. N) и тонкими различиями крист. строения. Показатель преломления n= 2,417 для l=0,589 мкм, диэлектрическая проницаемость e=5,7. Нек-рые кристаллы обладают двойным лучепреломлением. Уд. электрич. сопротивление А. 1-го типа r=10121014 Ом•м (диэлектрик). Нек-рые А. 2-го типа имеют r=0,5•10 Ом•м. Они явл. примесными ПП p-типа (встречаются кристаллы А. с r=10-2 Ом•м). А.ПП, обладают большой шириной запрещённой зоны и уникальной теплопроводностью. У нек-рых неполупроводниковых кристаллов 2-го типа электропроводность резко возрастает при облучении их заряж. ч-ми и g-квантами. Синтетич. А. получают из графита и углеродсодержащих в-в. Получен в сер. 1950-х гг. (США, Швеция, ЮАР), в СССР в 1960 в нн-те Физики высоких давлений АН СССР. Давление равновесия термодинамического pp между А. и графитом при 0 К равно 108 Па и возрастает с ростом темп-ры Т. При ррр-А. Однако превращение А. в графит при рр .