Физическая энциклопедия - переключения эффект

скачкообразный и обратимый переход полупроводника из высокоомного состояния в низкоомное под действием электрич. поля Е, превышающего пороговое Eп=104-106 В/см. П. э. наблюдаются в однородных ПП с S-образной вольтамперной характеристикой. При подаче на ПП прямоуг. импульса напряжения Uп, создающего электрич. поле, переход в низкоомное состояние начинается через время t=10-6-10-8 с (время задержки), к-рое тем меньше, чем больше перенапряжение (U-Uп). Время самого скачка =10-10 с. П. э. наз. моностабильным, если для поддержания низкоомного состояния необходимо непрерывно пропускать через ПП достаточно большой ток, и бистабильным (с памятью), если низкоомное состояние после отключения постоянного напряжения легко восстанавливается при пропускании через ПП короткого и мощного импульса тока.

П. э. ярко выражен у аморфных полупроводников, в частности у стеклообразных (к к-рым относятся приведённые хар-ки), хотя наблюдается и у нек-рых кристаллич. полупроводников. В массивных слоях стёкол толщиной > 10 мкм П. э. обусловлен джоулевым разогревом. В тонких плёнках природа П. э. обычно объясняется электротепловой неустойчивостью.

В низкоомном состоянии ток течёт в узком канале (шнуре). «Запоминание» при бистабильном П. э. обусловлено кристаллизацией стекла в токовом шнуре, а в нек-рых случаях проникновением атомов металла (с электродов) в ПП. Наибольшее применение находит бистабильный П. э. для создания элементов памяти. Моностабильный П. э. используется гл.

обр. в логич. схемах. Перспективность использования П. э. в стёклах связана с их радиац. стойкостью. .