Физическая энциклопедия - поверхностные свойства полупроводников

свойства, обусловленные поведением носителей заряда (электронов и дырок) вблизи границы раздела полупроводника с др. средой. На поверхности существуют поверхностные состояния носителей, плотность к-рых (число состояний, приходящихся на единичный интервал энергии и на единицу площади поверхности) для разл. полупроводников порядка 1010-1014 эВ-1•см-1. Заполнение этих состояний носителями (они «прилипают» к поверхности) создаёт поверхностный заряд, а в области около поверхности возникает объёмный заряд противоположного знака. Т. о. образуются приповерхностные слои, обогащённые или обеднённые носителями, и между «поверхностью» и «объёмом» возникает разность потенциалов поверхностный потенциал js (поверхностный изгиб энергетич. зон). Величина js определяет изменение равновесных концентраций носителей на поверхности по сравнению с объёмом. Типичные значения js=0,1 В. Вблизи поверхности носители испытывают дополнительное по сравнению с объёмом рассеяние (поверхностные дефекты, фононы, поля дефектов от пограничной среды и т. п.), характеризуемое поверхностной подвижностью носителей тока. Участие поверхностных состояний в неравновесных процессах генерации и рекомбинации носителей описывается поверхностными сечениями их захвата и выброса. Это св-во можно характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации неравновесных носителей.

Термоэлектронная эмиссия полупроводника и электрич. св-ва контакта полупроводника с др. средой зависят от их работы выхода и энергии сродства к электрону. .