Физическая энциклопедия - сильнолегированный полупроводник

полупроводник с очень большой концентрацией примесей (или структурных дефектов крист. решётки), когда расстояние между соседними примесными атомами столь мало, что перекрываются их силовые поля и волновые функции локализованных вблизи них электронов. В результате в С. п. возникает примесная зона, сливающаяся с ближайшей к ней собств.

зоной проводимости или валентной зоной. Потенциальная энергия ? носителя заряда в С. п. зависит от координат сразу многих атомов примеси и из-за флуктуации в распределении примесных атомов оказывается случайной величиной. Из-за наличия случайного поля квазиимпульс р носителей не сохраняется, так что понятие дисперсии закона ?(р) имеет смысл лишь на достаточно больших расстояниях от краёв зон. В С. п. даже при Т=0 К электропроводность s?0. Плотность состояний постепенно убывает в глубь запрещённой зоны («хвост» плотности состояний), В С. п. возможно поглощение света частоты w .