Большой энциклопедический политехнический словарь - полупроводниковый лазер
Полупроводниковый лазер
лазер, в к-ром активной средой служат полупроводники (арсенид галлия GaAs, сульфид кадмия CdS, сульфид свинца PbS и др.) или их сплавы [(Ga, Al)As, GaAs InP и др.]. Преобразование приложенной электрич. энергии в лазерное излучение в П. л. происходит за счёт вынужденных процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда. По способу возбуждения (накачки) активной среды П. л. делятся на 3 осн. класса: инжекционные лазеры, в к-рых создание неравновесн. носителей заряда осуществляется в результате протекания инжекционного тока в ПП структуре с р n-переходом; П. л. с электронным возбуждением, в к-рых неравновесн. носители создаются при накачке ПП потоком ускоренных электронов; П. л. с оптическим возбуждением, в к-рых накачка производится оптич. излучением (в частности, лазерным). У наиболее обширного класса П. л. инжекционных лазеров диапазон рабочих длин волн 0,7 30 мкм, мощность излучения 3 500 мВт в непрерывном режиме и 5 30 Вт в импульсном, кпд до 30% . Осн. применения: волоконно-оптич. линии связи, системы оптич. записи и считывания информации, устройства дальнометрии, системы телеуправления, наведения, подсветки и др.
Большой энциклопедический политехнический словарь
2004